Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RF9G120BJFRATCR

Type of transistor
P-MOSFET
Drain-source voltage
-40 V
Drain current
-12 A
Power dissipation
23 W
Корпус
DFN6
Gate-source voltage
-20...5 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 2 884 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%107,39 ₽

Сумма · с НДС 22%14 497,65 ₽

От 135 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 135107,39 ₽
от 30096,48 ₽
от 50094,98 ₽
от 100083,50 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяRF9G120BJFRATCR
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorP-MOSFET
Drain-source voltage-40 V
Drain current-12 A
Power dissipation23 W
КорпусDFN6
Gate-source voltage-20...5 V
On-state resistance48 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; -40V; -12A; 23W; DFN6

Документация

Документы пока не предоставлены.