Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RF7P120BLFRATCR

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
100 V
Drain current
12 A
Power dissipation
23 W
On-state resistance
31 mΩ
Монтаж
SMD — поверхностный
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 3 000 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%115,26 ₽

Сумма · с НДС 22%14 522,76 ₽

От 126 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 126115,26 ₽
от 300104,32 ₽
от 500101,49 ₽
от 100090,17 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяRF7P120BLFRATCR
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage100 V
Drain current12 A
Power dissipation23 W
On-state resistance31 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge6.8nC
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 100V; 12A; 23W; automotive industry

Документация

Документы пока не предоставлены.