ROHM SEMICONDUCTOR
Транзистор RF7L120BJFRATCR
ТранзисторИзображение корпуса
- Type of transistor
- P-MOSFET
- Drain-source voltage
- -60 V
- Drain current
- -12 A
- Рассеиваемая мощность
- 23 W
- Gate-source voltage
- -20...5 V
- On-state resistance
- 119 mΩ
Добавим фотографию после подтверждения источника.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 2 448 шт.
Цена и наличие обновляются Данные на
Последняя цена / шт. · с НДС 22%107,36 ₽
Сумма · с НДС 22%14 171,52 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 132 | 107,36 ₽ | |
| от 300 | 96,79 ₽ | |
| от 500 | 95,33 ₽ | |
| от 1000 | 83,85 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | RF7L120BJFRATCR |
|---|---|
| Производитель | ROHM SEMICONDUCTOR |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Drain-source voltage | -60 V |
| Drain current | -12 A |
| Рассеиваемая мощность | 23 W |
| Gate-source voltage | -20...5 V |
| On-state resistance | 119 mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: P-MOSFET; -60V; -12A; 23W
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.