ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RF7G120BJFRATCR

DFN2020-8Изображение корпуса

Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40 V
Drain current: -12 A
Pulsed drain current: -24 A
Рассеиваемая мощность: 23 W

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	RF7G120BJFRATCR
Производитель	ROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistor	P-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-40 V
Drain current	-12 A
Pulsed drain current	-24 A
Рассеиваемая мощность	23 W
Корпус	DFN2020-8
Gate-source voltage	±12 V
On-state resistance	49 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	15.5nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -12A; Idm: -24A; 23W

Документация

Документы пока не предоставлены.