Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RF6E045AJTCR

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
4.5 A
Pulsed drain current
18 A
Power dissipation
1 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяRF6E045AJTCR
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current4.5 A
Pulsed drain current18 A
Power dissipation1 W
КорпусSOT363T
Gate-source voltage±12 V
On-state resistance23.7 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge8.1nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.5A; Idm: 18A; 1W; SOT363T

Документация

Документы пока не предоставлены.