Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RF4P060BGTCR

Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
100 V
Drain current
6 A
Рассеиваемая мощность
2 W
Корпус
DFN2020-8S
Gate-source voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 1 344 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%63,87 ₽

Сумма · с НДС 22%13 093,35 ₽

От 205 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 20563,87 ₽
от 30054,10 ₽
от 50052,22 ₽
от 100050,72 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяRF4P060BGTCR
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage100 V
Drain current6 A
Рассеиваемая мощность2 W
КорпусDFN2020-8S
Gate-source voltage±20 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge6.7nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 100V; 6A; 2W; DFN2020-8S

Документация

Документы пока не предоставлены.