Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RF4E100AJTCR

RF4E100AJTCR
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30V
Drain current
10A
Pulsed drain current
36A
Power dissipation
2W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяRF4E100AJTCR
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30V
Drain current10A
Pulsed drain current36A
Power dissipation2W
КорпусDFN2020-8S
Gate-source voltage±12V
On-state resistance12.4mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge13nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 10A; Idm: 36A; 2W; DFN2020-8S

Документация

Документы пока не предоставлены.