ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RF4E075ATTCR

Фото уточняется

Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.5A
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 2W

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	RF4E075ATTCR
Производитель	ROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistor	P-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-30V
Drain current	-7.5A
Pulsed drain current	-30A
Power dissipation	2W
Корпус	DFN2020-8S
Gate-source voltage	±20V
On-state resistance	21.7mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	22nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.5A; Idm: -30A; 2W

Документация

Документы пока не предоставлены.