ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RF4C100BCTCR

Фото уточняется

Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -10A
Pulsed drain current: -36A
Power dissipation: 2W

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	RF4C100BCTCR
Производитель	ROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistor	P-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-20V
Drain current	-10A
Pulsed drain current	-36A
Power dissipation	2W
Корпус	DFN2020-8S
Gate-source voltage	±8V
On-state resistance	15.6mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	23.5nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -10A; Idm: -36A; 2W

Документация

Документы пока не предоставлены.