ROHM SEMICONDUCTOR
Диод RESD5U2MAFAT2LB
DFN1006-3Изображение корпуса
- Type of diode
- TVS array
- Peak pulse power dissipation
- 25 W
- Монтаж
- SMD — поверхностный
- Корпус
- DFN1006-3
- Max. off-state voltage
- 5 V
- Leakage current
- 0.1 µA
Добавим фотографию после подтверждения источника.
Цена и заказ
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 8 000 шт.
Цена и наличие обновляются Данные на
Последняя цена / шт. · с НДС 22%23,87 ₽
Сумма · с НДС 22%13 152,37 ₽
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 551 | 23,87 ₽ | |
| от 1000 | 22,34 ₽ | |
| от 4000 | 21,19 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | RESD5U2MAFAT2LB |
|---|---|
| Производитель | ROHM SEMICONDUCTOR |
| Type of diode | TVS array |
| Peak pulse power dissipation | 25 W |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Корпус | DFN1006-3 |
| Max. off-state voltage | 5 V |
| Leakage current | 0.1 µA |
| Ёмкость | 7.5 pF |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Diode: TVS array; 0.025kW; DFN1006-3
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.