Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RE1E002SPTCL

Фото уточняется
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-30 V
Drain current
-0.25 A
Pulsed drain current
-0.5 A
Power dissipation
0.15 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяRE1E002SPTCL
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-30 V
Drain current-0.25 A
Pulsed drain current-0.5 A
Power dissipation0.15 W
КорпусSOT416 F
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance2.4 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -250mA; Idm: -0.5A; 150mW

Документация

Документы пока не предоставлены.