ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RE1C002ZPTL

SOT416 FИзображение корпуса

Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20 V
Drain current: -200 mA
Pulsed drain current: -0.8 A
Power dissipation: 0.15 W

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	RE1C002ZPTL
Производитель	ROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistor	P-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-20 V
Drain current	-200 mA
Pulsed drain current	-0.8 A
Power dissipation	0.15 W
Корпус	SOT416 F
Gate-source voltage	±10 V
On-state resistance	9.6 Ω
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	1.4nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -200mA; Idm: -0.8A; 150mW

Документация

Документы пока не предоставлены.