Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RD3U041AAFRATL

RD3U041AAFRATL
Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
250 V
Drain current
4 A
Power dissipation
29 W
Корпус
DPAK, TO252
Gate-source voltage
±30 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 2 470 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%155,72 ₽

Сумма · с НДС 22%14 637,68 ₽

От 94 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 94155,72 ₽
от 100139,74 ₽
от 300128,83 ₽
от 500127,14 ₽
от 1000112,65 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяRD3U041AAFRATL
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage250 V
Drain current4 A
Power dissipation29 W
КорпусDPAK, TO252
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance1.3 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge8.5nC
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 250V; 4A; 29W; DPAK,TO252

Документация

Документы пока не предоставлены.