ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RD3T075CNTL1

SOT416 FИзображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200 V
Drain current: 7.5 A
Pulsed drain current: 30 A
Power dissipation: 52 W

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	RD3T075CNTL1
Производитель	ROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	200 V
Drain current	7.5 A
Pulsed drain current	30 A
Power dissipation	52 W
Корпус	SOT416 F
Gate-source voltage	±30 V
On-state resistance	0.325 Ω
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	15nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 7.5A; Idm: 30A; 52W; SOT416F

Документация

Документы пока не предоставлены.