Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RD3T050CNTL1

RD3T050CNTL1
Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
200 V
Drain current
5 A
Power dissipation
29 W
Корпус
DPAK, TO252
Gate-source voltage
±30 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 2 530 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%114,97 ₽

Сумма · с НДС 22%14 831,13 ₽

От 129 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 129114,97 ₽
от 300103,92 ₽
от 500101,25 ₽
от 100089,42 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяRD3T050CNTL1
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage200 V
Drain current5 A
Power dissipation29 W
КорпусDPAK, TO252
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance760 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge8.3nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 200V; 5A; 29W; DPAK,TO252

Документация

Документы пока не предоставлены.