Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RD3S100CNTL1

RD3S100CNTL1
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
190 V
Drain current
10 A
Pulsed drain current
40 A
Рассеиваемая мощность
85 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяRD3S100CNTL1
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage190 V
Drain current10 A
Pulsed drain current40 A
Рассеиваемая мощность85 W
КорпусTO252
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.19 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge52nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 190V; 10A; Idm: 40A; 85W; TO252

Документация

Документы пока не предоставлены.