Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RD3S075CNTL1

RD3S075CNTL1
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
190 V
Drain current
7.5 A
Pulsed drain current
30 A
Power dissipation
52 W

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Характеристики

Артикул производителяRD3S075CNTL1
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage190 V
Drain current7.5 A
Pulsed drain current30 A
Power dissipation52 W
КорпусTO252
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance347 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge30nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 190V; 7.5A; Idm: 30A; 52W; TO252

Документация

Документы пока не предоставлены.