Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RD3P200SNFRATL

RD3P200SNFRATL
Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
100 V
Drain current
20 A
Power dissipation
20 W
Корпус
DPAK, TO252
Gate-source voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 1 721 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%402,69 ₽

Сумма · с НДС 22%14 899,53 ₽

От 37 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 37402,69 ₽
от 50277,33 ₽
от 100262,13 ₽
от 300252,63 ₽
от 500226,04 ₽
от 1000222,24 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяRD3P200SNFRATL
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage100 V
Drain current20 A
Power dissipation20 W
КорпусDPAK, TO252
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance46 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge55nC
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 100V; 20A; 20W; DPAK,TO252

Документация

Документы пока не предоставлены.