Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RD3P175SNTL1

RD3P175SNTL1
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100V
Drain current
17.5A
Pulsed drain current
35A
Power dissipation
20W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяRD3P175SNTL1
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100V
Drain current17.5A
Pulsed drain current35A
Power dissipation20W
КорпусDPAK, TO252
Gate-source voltage±20V
On-state resistance119mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge24nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17.5A; Idm: 35A; 20W

Документация

Документы пока не предоставлены.