Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RD3P100SNTL1

RD3P100SNTL1
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
10 A
Pulsed drain current
20 A
Рассеиваемая мощность
20 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяRD3P100SNTL1
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current10 A
Pulsed drain current20 A
Рассеиваемая мощность20 W
КорпусDPAK, TO252
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance147 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge18nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; Idm: 20A; 20W; DPAK,TO252

Документация

Документы пока не предоставлены.