Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RD3P08BBLHRBTL

RD3P08BBLHRBTL
Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
100 V
Drain current
80 A
Power dissipation
142 W
Корпус
TO252
On-state resistance
6.2 mΩ
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 95 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%369,90 ₽

Сумма · с НДС 22%15 165,90 ₽

Проверяем актуальные условия

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 41369,90 ₽
от 50350,64 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяRD3P08BBLHRBTL
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage100 V
Drain current80 A
Power dissipation142 W
КорпусTO252
On-state resistance6.2 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge55nC
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 100V; 80A; 142W; TO252; automotive industry

Документация

Документы пока не предоставлены.