Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RD3P050SNTL1

RD3P050SNTL1
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100V
Drain current
5A
Pulsed drain current
20A
Power dissipation
15W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяRD3P050SNTL1
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100V
Drain current5A
Pulsed drain current20A
Power dissipation15W
КорпусDPAK, TO252
Gate-source voltage±20V
On-state resistance0.205Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge14nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5A; Idm: 20A; 15W; DPAK,TO252

Документация

Документы пока не предоставлены.