Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RD3P03BBHTL1

RD3P03BBHTL1
Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
100V
Drain current
35A
Power dissipation
50W
Корпус
DPAK, TO252
Gate-source voltage
±20V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяRD3P03BBHTL1
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage100V
Drain current35A
Power dissipation50W
КорпусDPAK, TO252
Gate-source voltage±20V
On-state resistance23mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge12.4nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 100V; 35A; 50W; DPAK,TO252

Документация

Документы пока не предоставлены.