Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RD3P02BATTL1

RD3P02BATTL1
Type of transistor
P-MOSFET
Drain-source voltage
-100V
Drain current
-20A
Power dissipation
56W
Корпус
DPAK, TO252
Gate-source voltage
±20V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяRD3P02BATTL1
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorP-MOSFET
Drain-source voltage-100V
Drain current-20A
Power dissipation56W
КорпусDPAK, TO252
Gate-source voltage±20V
On-state resistance116mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; -100V; -20A; 56W; DPAK,TO252

Документация

Документы пока не предоставлены.