Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RD3N03BATTL1

RD3N03BATTL1
Type of transistor
P-MOSFET
Drain-source voltage
-80V
Drain current
-30A
Power dissipation
54W
Корпус
TO252
On-state resistance
64mΩ
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяRD3N03BATTL1
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorP-MOSFET
Drain-source voltage-80V
Drain current-30A
Power dissipation54W
КорпусTO252
On-state resistance64mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; -80V; -30A; 54W; TO252

Документация

Документы пока не предоставлены.