Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RD3L08BGNTL

RD3L08BGNTL
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
80 A
Pulsed drain current
160 A
Рассеиваемая мощность
119 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяRD3L08BGNTL
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current80 A
Pulsed drain current160 A
Рассеиваемая мощность119 W
КорпусDPAK, TO252
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance8.1 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge71nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; Idm: 160A; 119W

Документация

Документы пока не предоставлены.