Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RD3L08BBLHRBTL

RD3L08BBLHRBTL
Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
60 V
Drain current
80 A
Power dissipation
142 W
Корпус
DPAK, TO252
Gate-source voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяRD3L08BBLHRBTL
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage60 V
Drain current80 A
Power dissipation142 W
КорпусDPAK, TO252
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance3.3 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge62nC
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 60V; 80A; 142W; DPAK,TO252

Документация

Документы пока не предоставлены.