Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RD3L080SNTL1

RD3L080SNTL1
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60V
Drain current
8A
Pulsed drain current
16A
Power dissipation
15W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяRD3L080SNTL1
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60V
Drain current8A
Pulsed drain current16A
Power dissipation15W
КорпусDPAK, TO252
Gate-source voltage±20V
On-state resistance109mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge9.4nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8A; Idm: 16A; 15W; DPAK,TO252

Документация

Документы пока не предоставлены.