Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RD3L07BBGTL1

RD3L07BBGTL1
Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
60V
Drain current
115A
Power dissipation
102W
Корпус
DPAK, TO252
Gate-source voltage
±20V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяRD3L07BBGTL1
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage60V
Drain current115A
Power dissipation102W
КорпусDPAK, TO252
Gate-source voltage±20V
On-state resistance3.9mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge47nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 60V; 115A; 102W; DPAK,TO252

Документация

Документы пока не предоставлены.