Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RD3L04BBJHRBTL

RD3L04BBJHRBTL
Type of transistor
P-MOSFET
Drain-source voltage
-60V
Power dissipation
77W
Корпус
TO252
Gate-source voltage
-5...20V
On-state resistance
30mΩ
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяRD3L04BBJHRBTL
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorP-MOSFET
Drain-source voltage-60V
Power dissipation77W
КорпусTO252
Gate-source voltage-5...20V
On-state resistance30mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; -60V; 77W; TO252

Документация

Документы пока не предоставлены.