Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RD3L03BATTL1

RD3L03BATTL1
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-60 V
Drain current
-35 A
Pulsed drain current
-70 A
Power dissipation
56 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяRD3L03BATTL1
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-60 V
Drain current-35 A
Pulsed drain current-70 A
Power dissipation56 W
КорпусDPAK, TO252
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance46 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge37nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -35A; Idm: -70A; 56W

Документация

Документы пока не предоставлены.