Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RD3L01BATTL1

RD3L01BATTL1
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-60V
Drain current
-10A
Pulsed drain current
-20A
Power dissipation
26W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяRD3L01BATTL1
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-60V
Drain current-10A
Pulsed drain current-20A
Power dissipation26W
КорпусDPAK, TO252
Gate-source voltage±20V
On-state resistance93mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge15.2nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -10A; Idm: -20A; 26W

Документация

Документы пока не предоставлены.