Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RD3H200SNTL1

RD3H200SNTL1
Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
45 V
Drain current
20 A
Power dissipation
20 W
Корпус
DPAK, TO252
Gate-source voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяRD3H200SNTL1
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage45 V
Drain current20 A
Power dissipation20 W
КорпусDPAK, TO252
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance28 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge12nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 45V; 20A; 20W; DPAK,TO252

Документация

Документы пока не предоставлены.