Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RD3H200SNFRATL

RD3H200SNFRATL
Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
45 V
Drain current
20 A
Power dissipation
20 W
Корпус
DPAK, TO252
Gate-source voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 1 373 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%166,71 ₽

Сумма · с НДС 22%15 003,90 ₽

Проверяем актуальные условия

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 90166,71 ₽
от 100149,62 ₽
от 300138,48 ₽
от 500136,36 ₽
от 1000121,00 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяRD3H200SNFRATL
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage45 V
Drain current20 A
Power dissipation20 W
КорпусDPAK, TO252
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance28 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge12nC
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 45V; 20A; 20W; DPAK,TO252

Документация

Документы пока не предоставлены.