Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RD3H160SPTL1

RD3H160SPTL1
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-45 V
Drain current
-16 A
Pulsed drain current
-32 A
Power dissipation
20 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяRD3H160SPTL1
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-45 V
Drain current-16 A
Pulsed drain current-32 A
Power dissipation20 W
КорпусDPAK, TO252
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance70 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge16nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -45V; -16A; Idm: -32A; 20W

Документация

Документы пока не предоставлены.