Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RD3H080SPFRATL

RD3H080SPFRATL
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-45 V
Drain current
-8 A
Pulsed drain current
-16 A
Power dissipation
15 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяRD3H080SPFRATL
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-45 V
Drain current-8 A
Pulsed drain current-16 A
Power dissipation15 W
КорпусDPAK, TO252
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance147 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge9nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -45V; -8A; Idm: -16A; 15W

Документация

Документы пока не предоставлены.