Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RD3H045SPTL1

RD3H045SPTL1
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-45 V
Drain current
-4.5 A
Pulsed drain current
-9 A
Power dissipation
15 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяRD3H045SPTL1
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-45 V
Drain current-4.5 A
Pulsed drain current-9 A
Power dissipation15 W
КорпусDPAK, TO252
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.26 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge12nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -45V; -4.5A; Idm: -9A; 15W

Документация

Документы пока не предоставлены.