Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RD3G600GNTL

RD3G600GNTL
Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
40 V
Drain current
60 A
Power dissipation
40 W
Корпус
DPAK, TO252
On-state resistance
3.6 mΩ
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяRD3G600GNTL
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage40 V
Drain current60 A
Power dissipation40 W
КорпусDPAK, TO252
On-state resistance3.6 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge46.5nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 40V; 60A; 40W; DPAK,TO252

Документация

Документы пока не предоставлены.