Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RD3G08DBKHRBTL

RD3G08DBKHRBTL
Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
40 V
Drain current
80 A
Power dissipation
76 W
Корпус
DPAK, TO252
On-state resistance
4.1 mΩ
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяRD3G08DBKHRBTL
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage40 V
Drain current80 A
Power dissipation76 W
КорпусDPAK, TO252
On-state resistance4.1 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge28nC
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 40V; 80A; 76W; DPAK,TO252

Документация

Документы пока не предоставлены.