Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RD3G08BBLHRBTL

RD3G08BBLHRBTL
Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
40 V
Drain current
80 A
Рассеиваемая мощность
142 W
Корпус
DPAK, TO252
On-state resistance
2.3 mΩ
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 100 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%361,74 ₽

Сумма · с НДС 22%14 831,34 ₽

Проверяем актуальные условия

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 41361,74 ₽
от 50339,36 ₽
от 100322,58 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяRD3G08BBLHRBTL
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage40 V
Drain current80 A
Рассеиваемая мощность142 W
КорпусDPAK, TO252
On-state resistance2.3 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge82nC
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 40V; 80A; 142W; DPAK,TO252

Документация

Документы пока не предоставлены.