Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RD3G07BBGTL1

RD3G07BBGTL1
Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
40 V
Drain current
150 A
Power dissipation
89 W
Корпус
DPAK, TO252
Gate-source voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 962 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%402,65 ₽

Сумма · с НДС 22%16 106,00 ₽

Проверяем актуальные условия

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 40402,65 ₽
от 50281,28 ₽
от 100265,87 ₽
от 300254,31 ₽
от 500225,41 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяRD3G07BBGTL1
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage40 V
Drain current150 A
Power dissipation89 W
КорпусDPAK, TO252
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance2.3 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge56nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 40V; 150A; 89W; DPAK,TO252

Документация

Документы пока не предоставлены.