ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RD3G07BATTL1

RD3G07BATTL1

Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40 V
Drain current: -70 A
Pulsed drain current: -140 A
Power dissipation: 101 W

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	RD3G07BATTL1
Производитель	ROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistor	P-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-40 V
Drain current	-70 A
Pulsed drain current	-140 A
Power dissipation	101 W
Корпус	DPAK, TO252
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	8.7 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	105nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -70A; Idm: -140A; 101W

Документация

Документы пока не предоставлены.