Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RD3G06BBJHRBTL

RD3G06BBJHRBTL
Type of transistor
P-MOSFET
Drain-source voltage
-40 V
Drain current
-68 A
Power dissipation
77 W
Корпус
TO252
Gate-source voltage
-20...5 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 100 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%176,65 ₽

Сумма · с НДС 22%14 838,60 ₽

От 84 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 84176,65 ₽
от 100161,46 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяRD3G06BBJHRBTL
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorP-MOSFET
Drain-source voltage-40 V
Drain current-68 A
Power dissipation77 W
КорпусTO252
Gate-source voltage-20...5 V
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; -40V; -68A; 77W; TO252

Документация

Документы пока не предоставлены.