Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RD3G04BBJHRBTL

RD3G04BBJHRBTL
Type of transistor
P-MOSFET
Drain-source voltage
-40 V
Drain current
-40 A
Power dissipation
53 W
Корпус
TO252
Gate-source voltage
-20...5 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 2 291 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%152,15 ₽

Сумма · с НДС 22%14 758,55 ₽

От 97 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 97152,15 ₽
от 100135,43 ₽
от 300124,42 ₽
от 500122,71 ₽
от 1000108,46 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяRD3G04BBJHRBTL
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorP-MOSFET
Drain-source voltage-40 V
Drain current-40 A
Power dissipation53 W
КорпусTO252
Gate-source voltage-20...5 V
On-state resistance24 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; -40V; -40A; 53W; TO252

Документация

Документы пока не предоставлены.