Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RD3G01BATTL1

RD3G01BATTL1
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-40 V
Drain current
-15 A
Pulsed drain current
-30 A
Power dissipation
25 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяRD3G01BATTL1
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-40 V
Drain current-15 A
Pulsed drain current-30 A
Power dissipation25 W
КорпусDPAK, TO252
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance49 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge19.3nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -15A; Idm: -30A; 25W

Документация

Документы пока не предоставлены.