Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RCJ510N25TL

RCJ510N25TL
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
250V
Drain current
51A
Pulsed drain current
160A
Power dissipation
304W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяRCJ510N25TL
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage250V
Drain current51A
Pulsed drain current160A
Power dissipation304W
КорпусD2PAK
Gate-source voltage±30V
On-state resistance155mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge0.12µC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 51A; Idm: 160A; 304W; D2PAK

Документация

Документы пока не предоставлены.