Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RCJ200N20TL

RCJ200N20TL
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
200 V
Drain current
20 A
Pulsed drain current
80 A
Рассеиваемая мощность
106 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяRCJ200N20TL
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage200 V
Drain current20 A
Pulsed drain current80 A
Рассеиваемая мощность106 W
КорпусD2PAK
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.31 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge40nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 20A; Idm: 80A; 106W; D2PAK

Документация

Документы пока не предоставлены.