Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RCJ160N20TL

RCJ160N20TL
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
200 V
Drain current
16 A
Pulsed drain current
64 A
Рассеиваемая мощность
85 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяRCJ160N20TL
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage200 V
Drain current16 A
Pulsed drain current64 A
Рассеиваемая мощность85 W
КорпусD2PAK
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance410 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge26nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 16A; Idm: 64A; 85W; D2PAK

Документация

Документы пока не предоставлены.