Антава

ROHM SEMICONDUCTOR

Транзистор RCD080N25TL

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
250 V
Drain current
8 A
Power dissipation
20 W
Gate-source voltage
±30 V
On-state resistance
0.3 Ω
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяRCD080N25TL
ПроизводительROHM SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage250 V
Drain current8 A
Power dissipation20 W
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.3 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge25nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 250V; 8A; 20W

Документация

Документы пока не предоставлены.