Антава

RENESAS

Транзистор RBA300N10EHPF-5UA02#GB0

Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
100 V
Рассеиваемая мощность
468 W
Gate-source voltage
±20 V
Монтаж
SMD — поверхностный
Gate charge
170nC
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 1 500 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%446,80 ₽

Сумма · с НДС 22%670 200,00 ₽

Проверяем актуальные условия

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1500446,80 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяRBA300N10EHPF-5UA02#GB0
ПроизводительRENESAS
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage100 V
Рассеиваемая мощность468 W
Gate-source voltage±20 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge170nC
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 100V; 468W; automotive industry

Документация

Документы пока не предоставлены.